ME45N03T-G دیتاشیت

ME45N03T-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME45N03T-G
حجم فایل 71.841 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت ME45N03T-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME45N03T-G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.4nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 832pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 58A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 41pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه